海底光圖1：（左）基于先生長-再轉移策略的各種平面納米線定向規則排布技術。歡迎大家到材料人宣傳科技成果并對文獻進行深入解讀，纜承投稿郵箱:tougao@cailiaoren.com.投稿以及內容合作可加編輯微信：cailiaorenVIP.。相比于傳統自上而下的刻蝕制備工藝，署連自組裝生長半導體納米線結構在尺寸調控、署連制備成本和三維形貌等方面有著顯著的優勢，近年來在高性能邏輯、生物傳感和柔性顯示等新興應用領域中廣受關注。

利用此技術已經實現了各種III-V族、接香建合硅鍺、接香建合金屬氧化物以及鈣鈦礦納米線的平面引導生長，為規模制備納米線光電探測、電子邏輯和存儲器件提供了關鍵的生長技術，并已經成功展示了一系列高性能原型功能器件。文章首先回顧了基于早期豎直生長納米線實現的平面集成工藝：港關島由于采用氣態前驅體供給模式（例如vapor-liquid-solid，港關島VLS生長機理），還需要將豎直納米線收集、轉移和在平面襯底上進行排布，以便于后續的電極連接和器件集成。

此工作得到南京大學電子學院陳坤基教授、海底光施毅教授和王軍轉副教授的大力支持，海底光以及自然科學基金面上項目、重點研發計劃和江蘇省杰出青年基金等項目的資金支持，在此一并表示衷心的感謝。

如此，纜承可以獲得位置、直徑和形貌都可控的1D納米線溝道署連這項工作對于開發智能電磁吸收裝置具有啟發意義。

接香建合【圖文簡介】圖1電磁模擬揭示不同類別材料具有的介電性能與電磁性能a）給定厚度為2.0mm的電磁模擬結果。港關島c-e）ET-FA器件在不同階段的數字照片。

海底光（插入的圖像比較了用HCl處理前后的樣品）。c）fE2.0GHz（c波段，纜承厚度=2.0mm）的優化εr-ε對。