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然而，結合如何在晶圓上實現可靠的單晶六方氮化硼薄膜生長就成為工業上必須進行攻關的技術難點。然而，電網電力調峰研究人員卻意外發現六方氮化硼與銅（111）橫向對接（lateraldocking）之后，可以增強六方氮化硼的外延生長，并保證了該外延生長是單向的。

研究還發現，運行由此制備的單晶六方氮化硼可以集成到二硫化鉬和二氧化鉿之間作為界面層，能夠大大增強晶體管的電學性能。實際市場【圖文導讀】圖1藍寶石基質上的銅（111）晶格取向圖2單晶六方氮化硼的生長和原子結構圖3DFT計算圖4晶圓級六方氮化硼轉移過程的示意圖以及光學照片文獻鏈接：Wafer-scalesingle-crystalhexagonalboronnitridemonolayersonCu(111)（Nature,2020,DOI:10.1038/s41586-020-2009-2）本文由材料人學術組NanoCJ供稿。