研究發現N3-空位缺陷的遷移對電荷狀態極其敏感，區推千伏擴散勢壘偏離幾個eV。因此，動2段陰離子在混合陰離子材料中所起的不同作用，為開發新的光催化材料提供了方便的設計思路。鉭（氧）氮化物的帶隙范圍為2.5至1.9eV，上線視化對應于理論產氫效率為9.3%至20.9％。

【圖文導讀】Figure1.TaON和Ta3N5的晶胞結構Figure2.空位遷移(a).TaON中的氧空位遷移路徑，要交越區以及擴散能壘隨電荷狀態的變化(b).TaON中的氮空位遷移路徑，要交越區以及擴散能壘隨電荷狀態的變化Figure3.空位遷移路徑、形成能和擴散能壘(a).TaON中的空位交換遷移路徑(b).形成能隨電荷的變化(c).擴散能壘隨電荷狀態的變化Figure4.空位遷移路徑、形成能和擴散能壘(a).TaON中的空位交換遷移路徑(b).形成能隨電荷的變化(c).擴散能壘隨電荷狀態的變化Figure5.氮空位的遷移路徑和相應的能壘Figure6.Ta3N5中的遷移能壘【小結】混合陰離子半導體如氮氧化物具有廣泛的使用性能，可以針對各種催化應用進行調整，例如光催化水分解。【成果簡介】近日，叉跨澳大利亞紐卡斯爾大學使用第一原理計算預測塊狀TaON和Ta3N5中的空位缺陷擴散勢壘。

值得注意的是，貴州TaON和Ta3N5分別具有2.1和2.4eV的帶隙以及510和600nm的吸收。

TaON和Ta3N5可以支持高缺陷密度的屬性，安順推動了鈣鈦礦氮氧化物AB(O,N)3（A=Ca，Sr，Ba和La，B=Ti，Ta和Nb）作為光催化劑的研究。(c)病毒衣殼蛋白負載在DNA納米管上，經開及由矩形DNA折紙包裹。

【引言】自然進化的生物大分子納米管包括膜通道對于細胞而言是至關重要，區推千伏其能夠為跨膜離子/分子通道、區推千伏細胞內轉運和細胞間通信提供結構支持，而且這些通道往往顯示出基于電荷、大小、潤濕性和選擇性識別的特征門控行為。此外，動2段由于仿生DNA納米管的良好的生物相容性和可編址性，它們在生物成像和治療方面也顯示出巨大的潛力。

上線視化圖3DNA納米管作為納米模板(a)通過將AuNP附著在24螺旋DNA納米管上形成的手性等離子體納米結構。在這篇綜述中，要交越區作者專注于仿生DNA納米管的結構設計、要交越區表征和應用的總結，并指出DNA納米管的通道能夠為藥物持續釋放、生物反應器和跨膜通道提供精確的納米級空腔，而外表面的剛性支架和多個有序連接位點可用作貨物運輸載體和模板。